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三星电子同意英伟达要求:NV-HBM基底裸片由台积电代工

三星接受英伟达要求:NV-HBM基底裸片由台积电代工

AI 导读

三星电子接受英伟达要求,决定采用台积电N3P制程生产下一代NV-HBM的基底裸片。此举打破了三星在HBM制造中沿用的“交钥匙”内部自主生产模式。英伟达同时要求供应商核心DRAM芯片基于第六代DRAM(1c)工艺,三星确认标准HBM及面向其他客户的产品仍维持自主生产。

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